Полупроводниковая оптоэлектроника

«Полупроводниковая оптоэлектроника» - программа подготовки в магистратуре СПбГЭТУ «ЛЭТИ» в рамках направления 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».

Общая информация о программе

Программа направлена на подготовку высококвалифицированных специалистов, ориентированных на разработку, создание и исследования полупроводниковых оптоэлектронных приборов, в том числе светодиодов и полупроводниковых лазеров от ультрафиолетового до среднего инфракрасного диапазона, работающих в импульсном и непрерывном режимах генерации, фотоприемников и солнечных элементов, фотонных кристаллов и пористых материалов, технологий роста полупроводниковых наногетероструктур и новых материалов, необходимых для разных приложений опто-, микро- и наноэлектроники, спинтроники и техники устройств высокой мощности, систем волоконно-оптической связи, солнечных электростанций и др.

Получив специализацию “Полупроводниковая оптоэлектроника” выпускники кафедры могут заниматься теоретическими и экспериментальными исследованиями в этой области, конструированием, созданием и эксплуатацией опто-, микро- и наноэлектронных приборов и устройств на их основе.

Выпускающая кафедра

Руководитель программы

Кучинский Владимир Ильич

Зав. кафедрой Оптоэлектроники

Д.ф.-м.н., профессор, ведущий научный сотрудник ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН

Особенности программы

Практические навыки студенты получают в научных лабораториях ФТИ, оснащенных современным технологическим, диагностическим и экспериментальным оборудованием.

Дополнительные возможности обучающихся

Зарубежные стажировки: Технический университет г. Лапперанта (Финляндия), Университетский колледж Лондона (Англия), Университет г. Данди (Шотландия), Иннолюм (г.Дортмунд, Германия) и др.

Трудоустройство выпускников

Выпускники востребованы на таких предприятиях как: ФТИ им. А.Ф.Иоффе, ЗАО “Светлана РОСТ”, ОАО “Полупроводниковые приборы”, ЗАО “Научное и технологическое оборудование”, Институт аналитического приборостроения РАН и др.