Алтынников Андрей Геннадиевич

Алтынников А.Г.

Кандидат технических наук

Ассистент кафедры Физической электроники и технологии СПбГЭТУ «ЛЭТИ»

Андрей Геннадиевич Алтынников окончил Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет в 2007 году. Получил диплом инженера по специальности «Физическая электроника». В декабре 2010 года после трех лет обучения в аспирантуре успешно защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата технических наук. С 2012 г. является ассистентом кафедры ФЭТ, совмещая научную и преподавательскую деятельность. Автор более 30 научных публикаций. Областями научных интересов являются: физика твердого тела, волновые процессы и СВЧ микроэлектроника.

Учебные курсы

  • Волновые процессы в электронике
  • Электродинамика
  • Компьютерное моделирование и проектирование микроволновых приборов и устройств

Основные публикации

  1. A. Altynnikov, A. Kozyrev, M. Gaidukov et al. Effect of ultraviolet radiation on slow-relaxation processes in ferroelectric capacitance structures// Journal of Applied Physics -2010.-V.107.-P.084102.
  2. А.Г.Алтынников, А.Б.Козырев, А.Г.Гагарин, М.М.Гайдуков Влияние ультрафиолетового излучения на процессы «медленной» релаксации в сегнетоэлектрических конденсаторах// Письма в Журнал Технической Физики.-2011.- Т.37, В.12.-С.1-7.
  3. AG Altynnikov, AG Gagarin, MM Gaidukov, AV Tumarkin, PK Petrov, N Alford, AB Kozyrev. Suppression of slow capacitance relaxation phenomenon in Pt/Ba0. 3Sr0. 7TiO3/Pt thin film ferroelectric structures by annealing in oxygen atmosphere// Journal of Applied Physics Letters -2014.-V.104.-P. 042903.
  4. A. Altynnikov, T. Samoilova, M. Gaidukov, A. Tumarkin, A. Gagarin, A. Kozyrev. Injected charge as a cause of the slow dielectric relaxation in thin film Pt/(Ba, Sr) TiO3/Cu structures// Journal of Applied Physics -2014.-V.115.-P. 204103.
  5. Алтынников А.Г., Афанасьев В.П., Мухин Н.В., Руденко М.В., Чигилейчик М.М. Влияние условий формирования наноструктурированных гетерофазных оксидных пленок на их фотовольтаические и сегнетоэлектрические свойства // Изв. вузов России. Радиоэлектроника. 2014. Вып. 4. C. 52–57.
  6. А.Г. Алтынников, А.В. Тумаркин, Н.Ф. Картенко, В.И. Альмяшев, С.В. Разумов, М.М. Гайдуков, А.Г. Гагарин, А.Б. Козырев. «Структурные свойства пленочного титаната бария-стронция в зависимости от технологических условий роста пленок»// Физика Твердого Тела. –2015- Т.53. – В. 3.-С.540-544.
  7. Патент на полезную модель № 92967 от 16.11.09 зарегистрировано 10.04.2010 «СВЧ измерительная схема». Гайдуков М.М., Алтынников А.Г., Гагарин А.Г., Козырев А.Б. // Microwave measurement circuit. (Заявка на патент РФ №2009142264 от 16.11.09 Application №2009142264 from 16.11.09) (Правообладатель СПбГЭТУ).
  8. Патент на полезную модель № 118112 от 10.01.12 зарегистрировано 10.07.2012 «СВЧ измерительная схема». Алтынников А.Г., Гагарин А.Г., Гайдуков М.М., Козырев А.Б., Тепина Е.Р. // Microwave ferroelectric planar capacitor. (Заявка на патент РФ №2012100060 Application №2012100060) (Правообладатель СПбГЭТУ).
  9. Заявка на патент №2012125442 от 20.06.2012 «СВЧ отклоняющая система на основе сегнетоэлектрических материалов» Козырев А.Б., Осадчий В.Н., Алтынников А.Г, Котельников И.В., Чернокалов А.Г.//«RF Deflecting System Based on Ferroelectric materials» (Правообладатель Samsung).
  10. US Patent App. 13/922,341. A.B. Kozyrev, A. Chernokalov, V. Osadchy, A. Altynnikov, I. Kotelnikov. «Deflecting device for electromagnetic radiation» (Правообладатель Samsung).

Персональный сайт ›