Михайлов Николай Иванович

Михайлов Н.И.

Кандидат технических наук

Доцент кафедры Физической электроники и технологии СПбГЭТУ «ЛЭТИ»

Дата рождения: 16.04.1951.

Курсы: Микроэлектроника, СВЧ техника и измерения, Микроволновые твердотельные устройства, Микро- и наноэлектроника.

Название диссертации: Исследование генератора Ганна перестраиваемого сферой ЖИГ. Ученая степень: кандидат физико-математических наук (эквивалент Ph.D.) Место и дата: факультет электронной техники, Ленинградский электротехнический институт им. В.И.Ульянова (Ленина), Ленинград, 1982 г. Название диссертации: Волновые процессы в тонкопленочных полупроводниковых структурах арсенида галлия.

Академические должности

  • 1974-1978 - инженер кафедры электронно-ионной и вакуумной технологии, Ленинградский электротехнический институт им. В.И.Ульянова (Ленина),
  • 1978-1981 - аспирант кафедры электронно-ионной и вакуумной технологии, Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина),
  • 1981-1985 - старший научный сотрудник, кафедры электронно-ионной и вакуумной технологии, Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина),
  • 1985-2005 - доцент, кафедры электронно-ионной и вакуумной технологии, Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина),
  • 2005 - по настоящее время доцент кафедры физической электроники и технологии, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ), Санкт-Петербург.

Научные интересы: полупроводниковая микроволновая электроника, устройства на эффекте Ганна, системы моделирования и автоматизированного проектирования СВЧ устройств, радиолокационные системы измерения скорости на основе эффекта Доплера.

Академическая квалификация: Диплом инженера электронной техники по специалности "Промышленная электроника" (эквивалент магистра наук в области электротехники ) Место и дата: факультет электронной техники, Ленинградский электротехнический институт им. В.И.Ульянова (Ленина) (ЛЭТИ), Ленинград, 1974 г.

Область научных интересов

1973-1980 г. - физические процессы в тонкопленочных полупроводниковых структурах с ОДП, эффект Ганна, измерение электрофизических параметров тонкопленочных полупроводниковых структур (GaAs и InP), технология, проектирование и изготовление СВЧ устройств различного функционального назначения.

1980-1992 г.-полупроводниковая микроволновая электроника: теория и эксперимент по распространению и усиление волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью, новые устройства для микроволновых монолитных интегральных схем, магнитостатические волны в ферритовых тонкопленочных структурах и СВЧ устройства на их основе.

1992 - настоящее время - микроволновые устройства на основе полупроводниковых, ферритовых и сегнетоэлектрических пленок, полупроводниковые интегральные схемы, волны пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах , моделирование полупроводниковых СВЧ устройств с использованием систем автоматизированного проектирования и компьютерных средств, радиолокационные системы измерения скорости на основе эффекта Доплера.

Публикации

За время работы в электротехническом унивеситете (ЛЭТИ) опубликовано более 60 работ, в том числе 12 изобретений и 15 учебно-методических пособий.

  • Михайлов Н.И., Перепеловский В.В., Устинов А.Б., Методические указания «Транзисторные структуры в электронике», СПГЭТУ, С-Петербург, 2005 г.
  • Михайлов Н.И., Перепеловский В.В.,Филатов Д.Н., "Физические основы работы элементов микроэлектроники и виртуальные устройства",СПГЭТУ, С-Петербург, 2007г."Введение в приборно-технологическое моделирование устройств микроэлектроники. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2011.

Персональный сайт ›