История кафедры

Основатель кафедры профессор Богородицкий Николай Петрович, трижды лауреат Государственных (Сталинских) премий, заслуженный деятель науки и техники РСФСР, ректор ЛЭТИ, заведующий кафедрой с 1946 г по 1967 г.

Первыми сотрудниками кафедры были кандидат технических наук, доцент В. В. Пасынков, ассистент М. В. Курлин и лаборант Р. К. Манакова. Кафедра обеспечивала курс «Элект­ротехнические материалы» объемом 70 часов для всех факультетов ЛЭТИ. В программу дисциплины наряду с электроизоляционными и проводниковыми были включены полупроводниковые и магнитные материалы. Лекции читали Н. П. Богородицкий и В. В. Пасынков. Уже в 1946 г. В. В. Пасынков и М. В. Курлин подготовили первое учебно-методическое издание – руководство к лабораторным занятиям по электроизоляционным материалам.

С момента основания кафедра являлась ведущей среди профильных кафедр других вузов страны. На ее базе регулярно организовывались межвузовские конференции и семинары по повышению квалификации заведующих, профессоров и преподавателей   вузов России и стран СНГ.

Научно-методический совет Минвуза по микроэлектронике, а также соответствующие комиссии УМО при ЛЭТИ которые последовательно возглавляли Н. П. Богородицкий, В. В. Пасынков, а ныне – Ю. М. Таиров разрабатывали стандарты I и II поколений, учебные планы и программы по направлению «Электроника и микроэлектроника» и специальности «Микроэлектроника и твердотельная электроника». По инициативе кафедры в 2000 была открыта подготовка по специальности «Микросистемная техника»  и разработаны стандарт, учебный план и программы курсов.

В 1956 г. кафедрой была проведена первая в нашей стране Межвузовская конференция по физике диэлектриков и полупроводников, ее организатором был профессор Н. П. Богородицкий. В работе конференции участвовали все ведущие в данной области ученые страны – академики А. Ф. Иоффе, А. И. Берг, член-корреспондент АН СССР Б. М. Вул, профессора К. А. Андрианов, Д. Н. Наследов, В. М. Тучкевич, П. В. Шаравский, Б. М. Тареев, Б. Т. Коломиец, Б. П. Козырев и многие другие.

В 1956 г. по постановлению правительства при кафедре была организована Проблемная лаборатория электрофизических процессов в диэлектриках и полупроводниках со штатом 20 сотрудников. Она сыграла важную роль в проведении фундаментальных исследований, выполняемых в последующие годы.

Начиная с 1961 г. кафедра  активно участвовала в организации филиала ЛЭТИ в Великом Новгороде и подготовке инженеров по специальности 0629. Позднее на базе филиала был создан Новгородский государственный университет.

В 1973 г. для углубления связей с промышленностью была организована базовая кафедра при НПО «Позитрон». Ее первым заведующим был главный инженер объединения, Герой Социалистического Труда, доктор технических наук Е. А. Гайлиш. Базовая кафедра, выполнила важную роль в подготовке инженерных кадров для электронной промышленности страны. За годы работы шестеро ее сотрудников защитили докторские диссертации.

В 1986 г. коллектив кафедры принял активное участие в создании Центра микротехнологии и диагностики ЛЭТИ, которым с момента создания и по настоящее время руководит нынешний заведующий кафедрой В. В. Лучинин.

Высокий уровень научных исследований, актуальность тематики, тесная связь с промышленностью и институтами РАН (ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН, ИХС имени Н.В. Гребенщикова РАН, ЗАО «Светлана», НИИ «Гириконд», РНИИ «Электронстандарт» и многие другие) позволили кафедре являться лидером в открытии новых направлений и специальностей подготовки инженеров, бакалавров и магистров нанотехнологии. Для вновь открытого направления «Нанотехнология» в 2004 году были разработаны стандарты II поколения, учебные планы, типовые программы и планы издания учебно-методической литературы.

В 2009 году кафедра закончила разработку стандартов III поколения по таким новым направлениям как «Электроника и наноэлектроника» (210100) и «Нанотехнология и микросистемная техника» (222900). С 2011 года кафедра переходит на подготовку бакалавров техники и технологии по направлению «Электроника и наноэлектроника» (прием 50 студентов) и «Нанотехнология и микросистемная техника» (прием 50 студентов). А также магистров  техники и технологии по магистерским программам: «Нанотехнология и диагностика» (210161), «Наноэлектроника и фотоника» (210162), «Нано и микросистемная техника» (210163). 

В 2009 году ЛЭТИ участвовал в конкурсе по отбору головных (базовых) образовательных учреждений высшего профессионального образования Российской Федерации, формирующих Университет Шанхайской организации сотрудничества как сеть высших учебных заведений, по направлению обучения в Университете Шанхайской организации сотрудничества «Нанотехнологии».

По результатам конкурса головными (базовыми) вузами по направлению «Нанотехнологии» стали Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) и Национальный исследовательский университет «Белгородский государственный университет».

Кафедрой микроэлектроники ЛЭТИ были разработаны и согласованы модули магистерской программы «Нано- и микросистемная техника», нацеленной на формирование профессиональных компетенций области наноматериалов и наносистем, процессов нанотехнологии и методов нанодиагностики, физико-математических и физико-химических моделей процессов синтеза, диагностики и функционирования нано- и микросистем, моделирования, проектирования и получения компонентов наноэлектроники и фотоники, нано- и микросистемной техники.