Список аннотаций выпускных квалификационных работ бакалавров в 2016 году, группа 2205

Группа 2205

Направление 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»

Профиль «Микроэлектроника и твердотельная электроника»

Бавтович Игнат Михайлович

Исследование транзисторных гетероструктур оптическими методами

В работе исследованы три транзисторные гетероструктуры и одна гетероструктура с сильнолегированным слоем на подложке с буфером. Проведены измерения спектров пропускания и отражения при комнатной температуре, а также фотолюминесценции при низкой температуре. По спектрам отражения определялась суммарная толщина эпитаксиальных слоев. Исходя из спектров пропускания и отражения, вычислены спектры поглощения, по которым определялись значения оптической ширины запрещенной зоны слоев гетероструктуры. Сравнивая положения максимумов фотолюминесценции с теоретически рассчитанными значениями, определены отклонения состава канального слоя от стехиометрического.

Байдина Екатерина Сергеевна

Исследование фоточувствительных структур на основе органических и оксидных слоев

Земцовская Вера Сергеевна

Расчет квантовой эффективности фоточувствительных структур на основе барьеров Шоттки

В результате работы в рамках диффузионного приближения корректно учтены процессы, возникающие на поверхности исследуемых структур. Определена формула, позволяющая проводить вычисления квантовой эффективности фоточувствительных структур на основе полупроводников A3B5. Рассчитана зависимость квантовой эффективности от длины волны с учетом влияния эффектов поверхностной рекомбинации. Произведено моделирование оптических свойств трехкомпонентных и четырехкомпонентных твердых растворов. На основе моделирования определены параметры спектров поглощения и рассчитана квантовая эффективность структур на основе таких материалов.

Коляда Дмитрий Владимирович

Фотолюминесценция автоэпитаксиальных слоев InAs

В работе были исследованы автоэпитаксиальные слои InAs. Проведена расшифровка спектров фотолюминесценции слоёв и подложек InAs. Пик с энергией 0,415 эВ соответствует энергии межзонных переходов, пик с энергией 0,400 эВ, предположительно, – энергии связанных экситонов, а пик при 0,388 эВ – излучению донорно-акцепторных пар. Было определено оптимальное время сульфидизации, которое составило 9 минут 40 секунд. О положительном влиянии сульфидизации на фотолюминесцентные свойства слоёв InAs позволяет судить уменьшение относительной площади пика связанных экситонов.

Мухамедгалиев Камиль Ринатович

Оптимизация фокусирующей системы для контроля поперечной неустойчивости электронных сгустков

Работа содержит обзор современного этапа развития физики ускорителей заряженных частиц с описанием задач расчёта динамики пучков заряженных частиц и способов их решения, основные теоретические сведения по расчету динамики электронного сгустка и фундаментальные физические величины, относящиеся к данной тематике. В ходе работы создано консольное приложение для вычисления динамики электронного сгустка в продольно-однородном волноводе круглого сечения с вакуумным заполнением. Проведена серия численных экспериментов, в которых исследовались траектория движения электронного пучка, разброс частиц по координатам и скоростям. На основании полученных результатов выбран оптимальный вариант параметров FDFD фокусирующей системы.

Нестеров Егор Евгеньевич

Технология формирования ростовых модулей на основе нанопористого анодного оксида алюминия для микробиологических лабораторий-на-чипе

В ходе выпускной квалификационной работы разработана технология формирования ростовых платформ на основе анодного оксида алюминия для для выращивания на них патогенных микроорганизмов с целью их дальнешего анализа. Исследована технология анодирования алюминия, выбран режим, пригодный для технологиеского производства ростовых зон на его основе. Произведена оптимизаци анодирования по следующим параметрам: температура электролита, плотность протекаемого тока, напряжение, однородность получаемой структуры, взаимное расположение электродов. 

Побат Дмитрий Вячеславович

Измерение толщин слоев диоксида кремния методом Фурье-спектроскопии

Целью работы является контроль толщин тонких слоев диоксида кремния, осажденных на различные материалы (сапфир, золото, кремний). В работе проведено сравнение толщин окисных слоев, осажденных на различные подложки в одном технологическом процессе. Для расчёта толщин использовались спектры оптического отражения, полученные с помощью Si-детектора и охлаждаемого жидким азотом CdHgTe-детектора.