Список аннотаций выпускных квалификационных работ бакалавров в 2016 году, группа 2282

Группа 2282

Направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника»

Профиль «Проектирование и технология микро- и наносистем»

Белокашин Виктор Михайлович 

Моделирование процесса ионной имплантации примесей в карбид кремния

В данной работе построена модель ионной имплантации бора в 4H-SiC, откалиброванная для диапазона энергий 20-200 кэВ. На основе созданной модели проведено исследование эффекта “scatter-in” каналирования при имплантации бора в 4H-SiC. Определен диапазон энергий, в котором эффект начинает проявляться (40-60 кэВ) при имплантации бора через слой диоксида кремния толщиной 35нм. Обнаружено, что при имплантации бора эффект выражен в меньшей степени, чем при имплантации алюминия. Также установлено, что профиль распределения бора не зависит от вида предварительно введенной примеси.

Буркун Ульяна Андреевна

Разработка программно-аппаратного комплекса для контроля электрических параметров стабилизаторов напряжения

В результате написания ВКР разработано автоматизированное рабочее место для контроля электрических параметров стабилизаторов напряжения 142ЕН12. Изучена среда программирования LabVIEW, в которой написано программное обеспечение для проведения измерений. Получены навыки работы с технической документаций и измерительным оборудованием. Выполнен цикл контрольных измерений предоставленного образца микросхемы. Статистический анализ показал, что значения исследуемых параметров входят в нормы, заданные ТУ. Понижена погрешность измерений, и существенно снижено время контроля.

Исаченков Владимир Андреевич

Разработка лабораторного стенда для исследования характеристик актюаторов

В процессе работы спроектирован лабораторный стенд для исследования механических свойств актюаторов, позволяющий наблюдать действие актюаторов и обеспечивающий защиту от внешних воздействий. С учётом геометрических особенностей актюаторов и прибора для измерения усилий разработаны чертежи  деталей, к которым должны крепиться основные части стенда. Собран лабораторный стенд, проведена калибровка прибора для измерения усилий и измерены усилия термомеханических актюаторов.   

Куликов Юрий Олегович

Исследование микроактюаторов на основе электроактивных полимеров

В работе создана математическая модель микроактюатора на основе ионного полимер-металлического композита (ИПМК), основанная на фундаментальных физических законах. Созданная модель реализована в ПО COMSOL Multiphysics, с помощью которого рассчитаны основные инженерные параметры микроактюатора: зависимости отклонения от частоты и амплитуды управляющего синусоидального сигнала и зависимость задержки отклика от частоты управляющего сигнала. В ходе анализа результатов расчета были выявлены характерные особенности микроактюаторов на основе ИПМК. Полученные данные могут быть использованы при проектировании микроактюаторов на основе ИПМК и содержащих их систем.

Курушин Григорий Валерьевич

Разработка технологии формирования гибкого подвеса для микромеханических датчиков физических величин 

В данной работе рассмотрены основные методы формирования объемных микромеханических структур. С помощью проведенного анализа выбраны технологические операции для производства МЭМС части чувствительного элемента МЭМС-ПАВ акселерометра под производственный процесс предприятия, на котором производилась разработка. Также проведены испытания отдельных этапов разработанной технологии.  Результаты экспериментов показывают, что данная технология применима для формирования чувствительного элемента МЭМС-ПАВ акселерометра.

Перцова Анастасия

Исследование эффекта плазмонного усиления люминесценции полупроводниковых наночастиц

В результате работы для определения оптимального расстояния h между плазмонной частицей и КТ, на котором наблюдается наибольшее усиление люминесценции, были синтезированы частицы структуры ядро/оболочка Ag/SiO2 с различным размером ядра (≈ 20 и 60 нм) и различной толщиной оболочки (15 – 40 нм). Плазмонные свойства полученных частиц были исследованы методами оптической спектроскопии. Для КТ CdSe/ZnS наибольшее усиление с