Список аннотаций выпускных квалификационных работ бакалавров в 2016 году, группа 2291

Группа 2291

Направление 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»

Профиль «Квантовая и оптическая электроника»

Григорьев Иван Владимирович

Температурные измерения фотоэлектрических преобразователей, изготовленных по технологии HIT

В ходе исследований были проведены испытания фотоэлементов в интервале температур от -100ºС до +100ºС с отслеживанием фотоэлектрических характеристик в ходе всего эксперимента. Изучались солнечные элементы с размерами 10.1 мм х 11.2 мм с площадью фотоактивной поверхности 0.846 см2. Образцы были изготовлены на одной подложке и имели примерно одинаковую эффективность (19%). Для фиксации жизненных циклов деградации структуры произведены испытания термоциклированием с регистрацией фотоэлектрических характеристик после каждого цикла.

Давыдовская Клавдия Сергеевна

Исследование скорости удаления носителей заряда в слаболегированном 4Н-карбиде кремния при облучении электронами с энергией 0.9 Мэв

В работе исследовалась деградация параметров 4H-SiC диодов Шоттки при облучении их электронами с энергией 0,9 МэВ. Установлено, что скорость удаления носителей заряда составляет ~0,07÷0,09 см-1. Следовательно, такие диоды выдерживают в 2 раза большие дозы облучения без деградации, чем кремниевые ДШ с равными начальными концентрациями, и в 200 раз большие, чем кремниевые диоды с таким же значением напряжения пробоя. Это можно использовать как основание для замены ими аналогичных приборов на основе кремния.

Ившин Павел Викторович

Характеристики излучения малоиндуктивного капиллярного заряда. Взаимодействие излучения с наноструктурами различной природы

Основной целью работы является анализ применения полупроводникового диода для диагностики характеристик излучения плазмы многозарядных ионов, получаемой в малоиндуктивном капиллярном разряде с длинной волны в диапазоне 1÷50 нм. Результатом работы является анализ характеристик рентгеновского излучения. Проведена оценка пропускания рентгеновского излучения сквозь алюминиевую фольгу. В работе проведен анализ требований к накачке, необходимой для получения излучения на капиллярном разряде. Проведена диагностика свойств плазмы и физических процессов, протекающих в ней. Получены осциллограммы и характеристики выходного рентгеновского излучения методом полупроводникового Si-диода.

Исламшина Алиса Александровна

Изучение влияния микроструктуры рельефа неосвещаемой поверхности фотодиодов на основе гетероструктур арсенид индия/индий-арсенид-антимонид-фосфор для средней инфракрасной области спектра (1.5-3.8 мкм) на их эффективность

Изучено влияние микроструктуры рельефа тыльной стороны подложки фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP, работающих при комнатной температуре в ИК-диапазоне 1.5−3.8 мкм, на их эффективность. Получены распределения спектральной чувствительности и значения фототока. Показано, что влияние микрорельефа тыльной стороны фотодиода на эти характеристики незначительно. На значение квантовой эффективности повлияла только площадь металлического контакта. 

Кулага Станислав Эдуардович

Моделирование процессов теплопереноса в мощных полупроводниковых лазерах, работающих при различных режимах накачки

Цель работы заключалась в определении возможности использования различных конструкций активного элемента для мощных полупроводниковых лазеров на основе квантово-размерных гетероструктур. В работе рассматриваются преимущества излучательных свойств лазерного кристалла конструкции с глубокими меза-канавками по сравнению с  мелкими мезами. Компьютерное моделирование позволило установить, что использование конструкции с глубокой мезой является целесообразным и не приводит к ограничению отвода тепла от активной области, тем самым не вызывая её дополнительного перегрева.

Матвеева Оксана Алексеевна

Особенности низкочастотного шума в квантоворазмерных нитрид алюминия галлия/нитрид галлия и нитрид индия галлия/нитрид галлия структурах, излучающих в спектральном диапазоне 365-530 нм.

Сравнительные исследования низкочастотного шума квантоворазмерных AlGaN/GaN и InGaN/GaN структур в комплексе с традиционными методами исследования позволили выявить неоднородное протекание тока по площади структур и усиление неоднородности протекания с ростом проводимости шунтирующих каналов. Кроме того, исследования при 77 и 300 К позволили выявить два источника шума: один локализован в проводящих шунтах протяженных дефектов, другой связан с процессами латерального транспорта носителей между локальными неоднородностями состава твердого раствора.

Миронов Илья Петрович

Исследование смешанных кристаллов оксид циркония - оксид иттрия методом комбинационного рассеяния

В работе исследовались смешанные кристаллы ZrO2-Y2O3 методом комбинационного рассеяния света.

В ходе работы сняты спектры чистого ZrO2, а также ZrO2-Y2O3 с концентрацией Y2O3 в диапазоне от 5 до 20 mol.%.

В результате работы подтверждено наличие моноклинной фазы в чистом ZrO2. Выявлено наличие тетрагональной фазы для образцов 5 и 7.5 mol.% Y2O3, а также наличие кубической и, предположительно, тетрагональной фазы для образца с 20 mol.% Y2O3. Рекомендовано дальнейшее исследование образца с концентрацией 20 mol.% Y2O3 для подтверждения наличия в нем тетрагональной фазы. 

Палицын Денис Сергеевич

Разработка конструкции и изготовление герметичного концентраторного фотоэлектрического модуля с сухой атмосферой

Целью данной работы являлась разработка конструкции и изготовление герметичного концентраторного солнечного модуля с сухой атмосферой в ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. Была разработана методика проведения термоизмерений существующего модуля для выявления недостатков конструкции. Затем были измерены характеристики фотоэлементов с целью улучшения их параметров. Далее разрабатывалась конструкция нового концентраторного солнечного модуля. В результате проделанной работы КПД нового модуля составил 34.7 %. У модуля предшествующей конструкции эффективность была 28 %.

Шиченко Дмитрий Владимирович

Определение фундаментальных параметров осаждения слоев нитрида кремния для гибридных нитриды третьей группы/нитрид кремния структур, полученных в едином процессе газофазной эпитаксии

Целью настоящей работы является определение фундаментальных параметров осаждения слоев Si3N4 in-situ в реакторе МОГФЭ из газовой фазы:

  1. Зависимость скорости роста от состава атмосферы в реакторе
  2. Зависимость скорости роста от температуры в реакторе
  3. Определение энергии активации реакции синтеза Si3N4.

Для исследования была произведена серия опытов по росту Si3N4.
Были получены и изображены зависимости скорости роста от потока аммиака и от потока SiH4. Так же была определена температурная зависимость скорости роста материала и энергия активации реакции синтеза Si3N4.