Разработка базовой технологии формирования многослойных феррит-сегнетоэлектрических структур

Разработка базовой технологии формирования многослойных феррит-сегнетоэлектрических структур для СВЧ устройств с двойной электронной перестройкой

Краткое описание

Многослойные феррит-сегнетоэлектрические пленочные структуры, которые могут использоваться для создания СВЧ устройств с дойным электрическим и магнитным управлением. Перестройка магнитным полем осуществляется в широком диапазоне частот порядка нескольких гигагерц для центральной частоты до 10ГГц, а перестройка электрическим полем осуществляется в диапазоне нескольких сотен мегагерц. Время перестройки магнитным полем порядка 10 мс, электрическим полем порядка 1 мкс.

Стадия разработки

  • подготовка к реализации

Информация о ЗИС

  • заявка на изобретение

Конечный результат. Область применения

Приборы и технологии, разрабатываемые в рамках проекта, предназначены для построения в различных элементах и приборах микроволновой микроэлектроники. В качестве примера можно назвать приборы и системы связи, локации и навигации сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн.

Повышенная радиационная стойкость используемых материалов обеспечивает их долговременное использование в условиях повышенного радиационного фона, например, в космосе. Помимо таких специфических применений приборы предназначены для расширения функциональных возможностей и повышения энергоэффективности систем стационарной и мобильной связи.

Конкурентные преимущества

  1. Малые СВЧ потери при большом диапазоне перестройки
  2. Малая мощность затрачиваемая на перестройку устройства
  3. Малые габариты и масса
  4. Высокая радиационная стойкость

Контакты

Центр стратегического партнерства и инноваций (ЦСПИ)

пн. - пт. с 10:00 до 17:00
+7 812 234-29-17
uvp@etu.ru