Разработка Планарная ФАР – СВЧ

Разработка базовой технологии изготовления нового поколения планарных фазированных антенных решеток СВЧ диапазона с электронным сканированием.

Краткое описание

Основные элементы базовой технологии изготовления ФАР СВЧ диапазона с электронным сканированием, включающие:

  • технологию изготовления нанокомпозитных сегнетоэлектрических структур на подложках большого диаметра;
  • конструктивно топологические решения построения планарных ФАР с одномерным и двумерным сканированием.

Стадия разработки

  1. Выполняется поиск технологических решений по способам создания нанокомпозитных сегнетоэлектрических пленок.
  2. Создается программно- вычислительный комплекс анализа планарных многощелевых линии передачи на многослойной диэлектрической структуре.
  3. Исследуются конструкторско-технологические варианты по созданию макета планарной ФАР.

Информация о ЗИС

  • заявка на изобретение
  • патент на изобретение.

Конечный результат. Область применения

  • Базовая технология изготовления ФАР с электронным сканированием
  • Опытный образец ФАР.

Прямое практическое использование могут получить перспективные технологии тонких нанокомпозитных сегнетоэлектрических пленок сложного состава на подложках разной физической природы и фундаментальные результаты исследований электродинамических моделей планарных линий передачи на слоистых диэлектрических структурах. Дальнейшие исследования на базе полученных результатов должны быть направлены на проведение ОКР по освоению технологии создания антенн, разработки метрологического оборудования для паспортизации их характеристик.

Конкурентные преимущества

Целью работы является исследование и разработка технологии создания нового поколения планарных ФАР диапазона сверх высоких частот на основе щелевых сегнетоэлектрических фазовращателей, обеспечивающей улучшение ТТХ ФАР:

  • пониженное энергопотребление по цепям управления
  • уменьшение массогабаритных характеристик
  • увеличения скорости сканирования
  • возможность организации двумерного сканирования

Контакты

Центр стратегического партнерства и инноваций (ЦСПИ)

пн. - пт. с 10:00 до 17:00
+7 812 234-29-17
uvp@etu.ru