Инновационные подходы к созданию полупроводниковых производств представят в ЛЭТИ

Инновационные подходы к созданию полупроводниковых производств представят в ЛЭТИ

9 апреля в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) состоится научно-технический семинар на тему «Новейшие решения и прикладные направления для технологии Minimal Fab».

05.04.2018 530

Семинар посвящен революционной разработке в области производства микроэлектронных устройств – технологии полупроводниковых минифабрик Minimal Fab, которая позволяет организовывать мелко- и среднесерийные полупроводниковые производства «с нуля», осуществлять разработку и прототипирование изделий для традиционных полупроводниковых фабрик, существенно уменьшая стоимость и длительность этих процессов. Приглашенный докладчик – доктор Национального института передовых наук и технологий AIST (Япония) Соммаван Като.

Участниками семинара с японской стороны станут представители руководства и топ-менеджмента компании «Токио Боэки» – всемирно известного международного холдинга, осуществляющего производство и поставку сложного научно-аналитического, промышленного и инженерного оборудования от ведущих японских производителей, исследования и разработки новых технологий, а также представители разработчиков технологии Minimal Fab – ученые Национального института передовых наук и технологий AIST.

С докладом на семинаре выступит заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники, директор Инжинирингового центра микротехнологии и диагностики (ИЦ ЦМИД) СПбГЭТУ «ЛЭТИ», доктор технических наук, профессор Виктор Викторович Лучинин, который представит разработанную в ЛЭТИ технологию изготовления элементов электронной компонентной базы на основе алмаза.

Предстоящий научно-технический семинар продолжит серию встреч руководства и ученых СПбГЭТУ «ЛЭТИ» с представителями разработчиков уникальной технологии Minimal Fab и компании-поставщика, которые состоялись в СПбГЭТУ «ЛЭТИ» в течение года.

В июне 2017 года СПбГЭТУ «ЛЭТИ» посетила делегация представителей японских компаний ООО «Токио Боэки», Litho Tech Japan и Yokogawa, которые приехали продемонстрировать российским ученым новую японскую разработку в области микроэлектроники и получить их экспертную оценку.

«Мы не могли не приехать в ваш вуз, потому что, на наш взгляд, ЛЭТИ является ведущим университетом, который занимается подготовкой специалистов в области микроэлектроники, – выразил мнение компании заместитель генерального директора ООО «Токио Боэки (РУС)» Дмитрий Иванович Юрковец. – Что касается разработок в области микро- и наноэлектроники, электронной компонентной базы, с учетом конкретных полученных результатов, готовых к коммерциализации, у вуза имеется как минимум пятилетний, а возможно, и десятилетний отрыв от партнеров».

Участник встречи, заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», директор ИЦ ЦМИД В.В. Лучинин проявил интерес к разработкам японских коллег и рассказал о достижениях ЛЭТИ в области микроэлектроники, которые соответствуют мировому уровню. Собственная технология, подобная новой разработке японских коллег, используется в Инжиниринговом центре микротехнологии и диагностики СПбГЭТУ «ЛЭТИ» для создания роботизированных систем гибкой печатной электроники по модульному унифицированному принципу.

К участию в научно-техническом семинаре приглашены преподаватели, аспиранты и студенты ЛЭТИ, а также руководители профильных научных учреждений и предприятий Санкт-Петербурга. Рабочий язык мероприятия – английский.

Для справки

В числе наиболее значимых достижений ЛЭТИ в области микро- и наноэлектроники – разработка технологии нанесения полупроводниковых пленок алмазов и создание полевого транзистора на основе алмаза, а также знаменитый «метод ЛЭТИ», разработанный профессором ЛЭТИ Юрием Михайловичем Таировым в 1978 году – метод выращивания объемных монокристаллов карбида кремния, признанный во всем мире научно-технологическим прорывом, определившим переход к промышленной технологии изготовления электронной компонентной базы на карбиде кремния (SiC).