Лекция «Развитие и будущее применение светодиодов на нитриде галлия»

Лекция о светодиодах на нитриде галлия

24 июня 2015 года в университете прошла лекция лауреата Нобелевской премии по физике Хироси Амано «Развитие и будущее применение светодиодов на нитриде галлия»

26.06.2015

24 июня 2015 года в СПбГЭТУ «ЛЭТИ» состоялась встреча с лауреатом Нобелевской премии по физике Хироси Амано.

В 2014 году Хироси Амано, Сюдзи Накамура и Исаму Акасаки были удостоены Нобелевской премии по физике «за изобретение эффективных синих светодиодов, которые сделали возможным создание ярких энергосберегающих белых источников света».

Хироси Амано выступил с лекцией на тему «Развитие и будущее применение светодиодов на нитриде галлия»

Мероприятие было организовано в рамках Санкт-Петербургского научного форума «Наука и общество. Наноструктуры: физика и технологии» - IX Петербургской встречи лауреатов Нобелевской премии.

Фотогалерея

На лекции присутствовали преподаватели, студенты, научные сотрудники СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Встреча проходила в непринужденной дружеской обстановке. Хироси Амано рассказал об истории развития светодиодов, о своем открытии, о перспективах применения светодиодов в различных отраслях промышленности.

После лекции общение продолжилось на выставке научно-технических разработок СПбГЭТУ «ЛЭТИ», где студенты и научные сотрудники университета могли лично представить свои разработки японскому гостю и обсудить различные проблемы развития науки. 

Краткая биография

Хироси Амано - японский физик и изобретатель, доктор технических наук. В 1983 году окончил инженерный факультет, в 1985 году – факультет электротехники и электронной инженерии японского Университета Нагоя. В 1989 году там же защитил докторскую диссертацию. До 1992 года работал в Нагойском университете, с 2002 года преподавал в университете Мейдзё. С 2010 года работает профессором в аспирантуре Нагойского университета.

В 1982 году Амано присоединился к группе профессора Исаму Акасаки и стал заниматься исследованием группы III нитрида полупроводников, которые хорошо известны в качестве материалов, используемых в синих светодиодах. В 1989 году вместе с коллегами из Университета Нагоя продемонстрировал первый светодиод на основе GaN со слоем p-типа проводимости. В 1992 году они опубликовали статью о создании первого светодиода на основе GaN с гомогенным p-n-переходом. Данный светодиод излучал свет в ультрафиолетовом и синем спектральном диапазонах.

Это изобретение стало революцией в светодиодных видеоэкранах и лампах, а технология получила широкое применение в различных отраслях промышленности для производства полупроводников, мобильных телефонов и цифровых камер, телевизионной аппаратуры, приборов для оснащения самолетов и автомобилей, оборудования для освещения улиц и т.д.

В настоящее время в Нагойском университете Хироси Амано работает над созданием технологий изготовления высокоэффективных мощных полупроводниковых устройств и новых энергосберегающих устройств.