Ученые ЛЭТИ получили европейский патент на разработанный способ нанослоевой герметизации нанопористых материалов

Ученые ЛЭТИ получили европейский патент на разработанный способ нанослоевой герметизации нанопористых материалов

Учеными Санкт-Петербургского электротехнического университета «ЛЭТИ» запатентован уникальный способ герметизации поверхности нанопористых материалов методом молекулярного наслаивания при создании наноразмерных интегральных схем нового поколения.

12.09.2018 440

Сотрудниками Центра микротехнологии и диагностики СПбГЭТУ «ЛЭТИ» был выполнен комплекс работ совместно с ведущей европейской организацией – Межвузовским центром микроэлектроники IMEC (г. Лёвен, Бельгия) в рамках проведения исследований по формированию нанослоевых органических композиций на основе жесткоцепных полиимидов методом молекулярного настаивания из жидкой фазы и их модификации.

В коллаборации с европейскими партнерами петербургские ученые реализовали пилотный проект «Молекулярное самоорганизующееся запечатывание ультратонких low-k диэлектриков для формирования наноэлектронных приборов» («Molecular self-assembling for sealing of ultra low-k dielectrics developed for advanced nanoelectronic devices). Целью проекта стала разработка метода подавления нанопористости low-k диэлектрика, используемого в качестве межслоевой изоляции в новом поколении интегральных микросхем с наноразмерными топологическими нормами. Ученым удалось разработать уникальный метод, основанный на планаризации поверхности и закрытии нанопор без их заполнения диэлектриком с использованием жесткоцепных полиимидов, наносимых по технологии Ленгмюра-Блоджетт. Научным руководителем работ от СПбГЭТУ «ЛЭТИ» являлась ведущий научный сотрудник Центра микротехнологии и диагностики, кандидат химических наук Светлана Игоревна Голоудина.

По результатам работы получен совместный (СПбГЭТУ «ЛЭТИ» – IMEC) европейский патент «Метод запечатывания / закрытия пор в пористых материалах с использованием полиимидных пленок Ленгмюра-Блоджетт» («Method for pore sealing of porous materials using polyimide Langmuir-Blodgett film»). Патент выдан Европейским патентным ведомством 29 августа 2018 года.

Ранее совместная разработка российских и бельгийских ученых была запатентована в США.

«Метод Ленгмюра – Блоджетт успешно развивается в ЛЭТИ на протяжении более 20 лет. Первоначально сотрудниками университета была создана специализированная установка, которая позволяет проводить эксперименты в области молекулярного наслаивания. В настоящее время ей на смену пришла аппаратура фирмы KSV. В проекте также использовалось оборудование молекулярной химической сборки финской фирмы «Beneq», которая в 2013 году открыла на базе СПбГЭТУ совместную научную лабораторию».

Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», доктор технических наук, профессор Виктор Викторович Лучинин

Преимущества новой технологии для применения в наноэлектронике очевидны: получаемый нанослоевой планаризирующий изолирующий слой удовлетворяет требованиям к предельно допустимой толщине диэлектрика, не оказывает повреждающего воздействия на всю структуру и обеспечивает требуемые частотные свойства.

Благодаря использованию предложенного способа стало возможным наращивать быстродействие и плотность упаковки интегральных схем нового поколения.