Виват, вузовская наука!

Виват, вузовская наука!

Ученые СПбГЭТУ «ЛЭТИ» отметили День российской науки пленарным заседанием научно-технической конференции ППС.

12.02.2018 239

8 февраля в СПбГЭТУ «ЛЭТИ» состоялось пленарное заседание 71-ой научно-технической конференции профессорско-преподавательского состава университета, участниками которого стали ученые, преподаватели, научные работники и аспиранты вуза. Мероприятие, приуроченное к Дню российской науки, стало завершающим событием двухнедельной научной «эстафеты», включающей в себя 55 секционных заседаний по всем основным научно-образовательным направлениям вуза – общее количество участников самой масштабной ежегодной общевузовской конференции ЛЭТИ составило свыше 1300 человек.

Пленарное заседание открыл проректор по научной работе ЛЭТИ Дмитрий Вячеславович Гайворонский.

В приветственном слове и.о. ректора СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Виктор Николаевич Шелудько отметил достижения ЛЭТИ в научной деятельности, широкие возможности для которой предоставляет современный научно-исследовательский и инновационный комплекс вуза. Стратегическое партнерство с более чем 50 предприятиями промышленности России и 18 крупными зарубежными предприятиями позволяет обеспечивать трансфер технологий, разработанных в ЛЭТИ.

«Сегодня ЛЭТИ занимает лидирующие позиции в области разработки радиоэлектронных, информационно-телекоммуникационных, информационно-управленческих систем и технологий, в области технологий жизнеобеспечения, защиты окружающей среды. ЛЭТИ динамично развивается как инновационный университет с глубокой интеграцией научной и образовательной деятельности».

И.о. ректора СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Виктор Николаевич Шелудько

Обращаясь к участникам заседания, Виктор Николаевич поздравил всех с Днем российской науки, пожелал хороших результатов, новых планов и достижений, российского и мирового признания.

С пленарными докладами, посвященными проблематике приоритетных направлений развития университета, выступили ведущие ученые вуза и приглашенные гости конференции.

Заместитель генерального директора, директор по продажам ООО «Токио Боэки (Рус)» Дмитрий Иванович Юрковец представил в своем докладе революционный подход к созданию полупроводниковых производств, который в течение нескольких лет прорабатывается в Японии. Технология Minimal FAB, разработанная учеными Национального института наук и технологий AIST, позволяет создавать мини-предприятия по производству малогабаритных микроэлектронных устройств. В разработке технологических процессов использованы нестандартные решения: отказ от обязательных «чистых» помещений – гермозоны и их замена капсулой с «чистой» средой; переход на маленькую подложку круглой формы и размещение на ней одного изделия; минимизация размеров процессной камеры, переход на малогабаритное оборудование, сокращение количества расходных материалов, локальное хранение реагентов в капсулах и другие. Технологическая цепочка в форм-факторе Minimal FAB реализуется на стандартных установках – модулях, между которыми в герметичной камере перемещается подложка – каждый процесс выполняется не более чем за 1 минуту. В ходе воплощения идеи в жизнь начиная с 1997 года налажено производство более 70 установок – в нем задействованы свыше 150 ведущих производителей оборудования для микроэлектроники; разработан ряд технологических процессов, устройства, которые могут производиться на Minimal FAB, и инженерные решения для создания производств. Докладчик представил главные преимущества производств Minimal FAB по сравнению с традиционными мегафабриками, а также прокомментировал перспективы развития и основные области применения новой технологии. Ожидаемыми последствиями ее развития могут стать: появление множества новых игроков на рынке производства полупроводниковых изделий; развитие микроэлектроники в странах, где она до этого отсутствовала; перемещение производств к конечным потребителям продукции; сокращение сроков разработки новых устройств; увеличение спроса на инженеров в области полупроводниковой электроники.

С докладом на тему «Импортозамещение ЭКБ экстремальной электроники. От карбида кремния к алмазу» выступил доцент кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Алексей Валентинович Афанасьев. Он продемонстрировал результаты многолетних исследований в области кристалльного производства карбидо-кремниевых полупроводниковых структур и некоторые базовые результаты в области алмазной электроники, которые достигнуты сотрудниками ИЦ ЦМИД и кафедры МНЭ ЛЭТИ. Рассказав об особенностях электронной компонентной базы для экстремальных и специальных условий эксплуатации, докладчик показал эволюцию развития изделий силовой электроники – от кремниевой эры в 1970-1990-е годы до эры широкозонных полупроводниковых материалов, которая началась в 2015 году. По оценкам специалистов, сделанным на основе фундаментальных вычислений, именно карбид кремния позволяет создавать полупроводниковые приборы с лучшими массогабаритными и энергочастотными показателями. С учетом документально подтвержденной востребованности ЭКБ на основе карбида кремния предприятиями РФ и принятого в 2017 году Правительством России решения об импортозамещении некоторых компонентов силовой электроники, разработки ЛЭТИ представляют значительный интерес и являются уникальными.

«Отечественная технология роста монокристаллов карбида кремния, разработанная в ЛЭТИ в 1976 году («метод ЛЭТИ»), позволила в свое время обеспечить переход к промышленной технологии создания приборов на карбиде кремния. За прошедшие годы учеными ЛЭТИ разработаны технологические процессы карбидокремниевой электроники, включая уникальные процессы роста объемных кристаллов и эпитаксии. Ключевые проблемы в технологии карбидокремниевых приборов решаются в рамках выполнения опытно-конструкторских работ совместно с индустриальными партнерами, в числе которых ПАО «Светлана», АО «Светлана-Электронприбор», ООО «Нью Даймонд Технолоджи» (г. Санкт-Петербург)».

Доцент кафедры МНЭ СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Алексей Валентинович Афанасьев

В ЛЭТИ созданы 100-миллиметровые 3-х дюймовые подложки карбида кремния хорошего качества, на которых можно проводить последующие процессы эпитаксии и создавать относительно конкурентоспособную продукцию. В настоящее время разработчики, используя имеющееся в университете современное ростовое и эпитаксиальное оборудование, занимаются совершенствованием технологии эпитаксии – роста эпитаксиальных слоев карбида кремния на карбид-кремниевых подложках: в число задач входят получение слоев с требуемыми типом проводимости, толщинами и электрофизическими параметрами. Алексей Валентинович представил уникальные разработки ЛЭТИ за последние годы – высоковольтные диодные сборки напряжением от 1 до 30 киловольт, пиндиоды в металлокерамических корпусах для различных импульсных приложений, полевой МДП-транзистор на алмазе. В рамках дорожной карты импортозамещения карбидокремниевой ЭКБ в период с 2015 по 2019 год СПбГЭТУ «ЛЭТИ» является исполнителем трех крупных проектов по созданию высокотехнологичного производства, выполняемых по заказу Минпромторга и Минобрнауки России.

Заместитель генерального директора по научной работе АО «НИИ телевидения» Александр Константинович Цыцулин в своем докладе представил современные направления развития телевизионной астрономии, уделив особое внимание совершенствованию орбитальных и наземных телескопов.

В докладе, посвященном вопросам развития нормативной базы Российского морского регистра судоходства на основе научно-исследовательской работы, начальник научно-исследовательского отдела Российского морского регистра судоходства Максим Сергеевич Бойко пригласил к сотрудничеству заинтересованные кафедры ЛЭТИ.