Патент № 2633909. Способ получения монокристаллического SiC

Авторы

Лебедев Андрей Олегович, профессор каф. МНЭ; Авров Дмитрий Дмитриевич, старший научный сотрудник каф. МНЭ; Таиров Юрий Михайлович, профессор каф. МНЭ; Лучинин Виктор Викторович, профессор каф. МНЭ 

Описание

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC – широко распространенного материала, используемого для изготовления различных типов полупроводниковых приборов, с недостижимыми ранее параметрами, силовой, СВЧ электроники и фотоники, работающих в экстремальных условиях: высокие температуры, химически агрессивная среда, высокий уровень радиации. Для реализации указанных преимуществ карбида кремния необходимо уметь выращивать слитки SiC высокого структурного совершенства.

В разработанном способе получения монокристаллического слитка карбида кремния используются: многослойная защита обратной стороны кристалла-затравки, управление распределением температуры по плоскости кристалла-затравки и оригинальная конструкция закрепления кристалла-затравки в тигле.

Способ позволяет достичь технического результата, заключающегося в улучшении качества слитка монокристаллического SiC, вследствие снижения упругих напряжений в пластине затравочного монокристалла SiC и достижения однородной скорости роста по всей поверхности пластины затравочного монокристалла с образованием почти плоского фронта кристаллизации.

Патент на сайте Федерального института промышленной собственности