Тонкопленочная солнечная энергетика

Тонкопленочная солнечная энергетика
Стоимость19000 руб
Продолжительность72 часа
Группаот 8 до 10 человек
Начало занятийПо мере формирования группы

Курс ориентирован для преподавателей вузов технического и физического профиля, специалистов с высшим техническим образованием, специализирующихся в области электроники и наноэлектроники.

В настоящее время наблюдается бурное развитие возобновляемой энергетики. Наиболее быстро растущим её сегментом является солнечная энергетика, ресурсы которой превосходят более чем в 12 раз ресурсы всех других возобновляемых источников – ветра, биомассы, волн, гидро- и геотермальной энергии. Проблемами традиционной солнечной фотоэнергетики являются высокая стоимость монокристаллических кремниевых солнечных батарей, основного материала на рынке солнечной энергетики. Перспективным путём решения этих проблем является применение тонкопленочных наногетероструктурных каскадных фотоэлектрических преобразователей на основе аморфного гидрогенизированного и микрокристаллического кремния.

В программе дисциплины рассмотрены следующие вопросы:

  • структура и свойства аморфных и микрокристаллических материалов;
  • принцип работы, конструкции и характеристики солнечных элементов на основе аморфного гидрогенизированного кремния;
  • многопереходные фотоэлементы на основе гетероструктур аморфный гидрогенизированный кремний – микрокристаллический  кремний;
  • методы получения тонких пленок гидрогенизированного аморфного и микрокристаллического  кремния;
  • особенности формирования тонкопленочных систем гидрогенизированный аморфный кремний – микрокристаллический кремний для солнечных элементов;
  • применение лазерных технологий в производстве тонкопленочных солнечных модулей;
  • оборудование для производства тонкопленочных солнечных  модулей на основе кремния;
  • оптико-физические методы исследования материалов и структур солнечной фотоэнергетики;
  • базовые методы диагностики микро - и нанообъектов;
  • метрология тонкопленочных солнечных модулей и энергоустановок.

Форма обучения- с отрывом от производства

Учебный план

№ п/п Наименование разделов Всего часов В том числе
Лекции Практические и лабораторные занятия Самостоятельное изучение Проверка знаний

Раздел I. Физика и оптика материалов фотоэнергетики

1

Структура кристаллических и аморфных твердых тел

2

2

 

 

 

2

Электронные спектры кристаллов. Расширенные и запрещенные зоны

2

2

 

 

 

3

Типы заполнения разрешенных зон. Диэлектрики, полупроводники, металлы

4

2

2

 

 

4

Электромагнитное излучение и его взаимодействие с веществом

4

2

2

 

 

5

Электронные спектры и оптические свойства аморфных и микрокристаллических полупроводников

4

2

2

 

 

Раздел II. Фотоэлектрические тонкопленочные преобразователи солнечной энергии

6

Основные материалы и типы тонкопленочных солнечных элементов

5

3

2

 

 

7

Принцип работы, конструкции и характеристики солнечных элементов на основе a-Si:H

5

3

2

 

 

8

Основные направления повышения эффективности солнечных элементов на основе a-Si:H

4

2

2

 

 

9

Многопереходные фотоэлементы на основе аморфных гидрогенизированных полупроводников и на основе гетероструктуры a-Si:H/c-Si

2

2

 

 

 

Раздел III. Диагностика материалов и структур микро - и оптоэлектроники.

10

Оптико-физические методы исследования материалов и структур солнечной фотоэнергетики.

6

4

2

 

 

11

Базовые методы диагностики микро -  и нанообъектов. Анализ микроструктуры поверхности. Растровая электронная микроскопия (основные принципы и аналитические возможности). Применение РЭМ для анализа наноструктурированных объектов. Атомносиловая спектроскопия. Аналитические возможности методов применительно к диагностике ТСМ.

6

4

2

 

 

12

Метрология тонкопленочных солнечных модулей и энергоустановок. Солнечное излучение и его характеристики. Спектральные и вольт - амперные характеристики солнечных элементов.

8

4

4

 

 

Раздел IV. Технологические основы формирования тонкопленочных солнечных модулей

13

Методы получения тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния. Метод химического разложения силана (SiH4) в плазме тлеющего разряда

5

3

2

 

 

14

Методы получения тонких пленок микрокристаллического кремния

2

2

 

 

 

15

Особенности формирования тонкопленочных систем гидрогенизированный аморфный кремний- микрокристаллический кремний для солнечных элементов

3

3

 

 

 

16

Лазерные технологии и лазерная обработка в производстве тонкопленочных солнечных модулей

5

3

2

 

 

17

Оборудование для производства  тонкопленочных солнечных модулей на основе кремния

5

3

2

 

 

 

Итого:

72

46

26

 

 

 

Итоговая аттестация

Защита выпускной работы


Контактная информация

пн. - пт. с 10:00 до 17:00
+7 812 346-28-18, +7 812 346-45-21
+7 812 346-45-21
ino@etu.ru

Запись на курс

Отправляя сообщение с помощью данной формы, вы соглашаетесь с обработкой своих персональных данных в соответствии с «Политикой обработки и защиты персональных данных СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Все поля помеченные * являются обязательными для заполнения.