Технология устройств сверхвысокочастотной электроники

Технология устройств сверхвысокочастотной электроники
АктуальностьИдёт набор
Стоимость25000 руб
Продолжительность72 часа
Группаот 8 до 10 человек
Начало занятийПо мере формирования группы
  Записаться на курс

Представленный в курсе материал содержит описание физических процессов, лежащих в основе технологических методов получения материалов и изготовления устройств современной сверхвысокочастотной электроники.

Рассматриваются современные технологии диэлектрических, полупроводниковых и проводящих материалов, используемых в сверхвысокочастотном диапазоне. Уделено внимание электрофизическим характеристикам материалов в СВЧ диапазоне и технологическим требованиям для получения материалов с необходимыми свойствами. Описаны основные принципы построения СВЧ устройств.

Создание новых материалов является приоритетным направлением в ряде наиболее развитых стран, так как материалы определяют дальнейшее развитие таких отраслей, как вычислительная техника, радиотехника, автоматика, радиолокация, спутниковая связь, навигация и др. Именно материалы стали ключевым звеном, позволяющим решать многие инженерные задачи при разработке сложнейшей современной аппаратуры.

Вот почему независимо от выполняемых функций рабочие характеристики всех элементов определяются свойствами используемых материалов, т. е. выходные параметры аппаратуры находятся в прямой зависимости от применяемых материалов, и перспектива их развития определяется прогрессом в области создания современных материалов и технологий, особенно в области сверхвысокочастотной (СВЧ) электроники.

Производство СВЧ микросхем характеризуется сложными технологическими процессами, а их выходные параметры – качеством используемых материалов, поэтому в настоящее время наблюдается значительный прогресс в области их исследований.

Специальные требования, предъявляемые к СВЧ материалам и частотно-зависимые принципы конструирования СВЧ устройств требуют от инженеров знаний, как в области современных технологий высокочастотных материалов, так и в области проектирования, что делает данный курс актуальным и для технологов и для разработчиков СВЧ приборов.

В данном курсе изложены основы технологий материалов, используемых в СВЧ электронике и принципы построения СВЧ устройств на их основе. Представленный в курсе материал содержит описание физических процессов, лежащих в основе технологических методов получения материалов и изготовления устройств современной СВЧ электроники. Рассматриваются современные технологии диэлектрических, полупроводниковых и проводящих материалов, используемых в сверхвысокочастотном диапазоне. Уделено внимание электрофизическим характеристикам материалов в СВЧ диапазоне и технологическим требованиям для получения материалов с необходимыми свойствами. Описаны основные принципы построения СВЧ устройств, как с точки зрения схемотехники, так и с точки зрения возможностей использования тех или иных СВЧ материалов.

Учебный план

№ п/п Наименование разделов Всего часов В том числе
Лекции Практические и лабораторные занятия Самостоятельное изучение Проверка знаний

1.

Введение

1

       

2.

Классификация металлов, используемых в СВЧ устройствах

4

4

     

3.

Технология проводящих покрытий для СВЧ устройств. Методы термического испарения, ионно-плазменного осаждения, электрохимические методы. Гальваническое наращивание

6

4

2

   

4.

Классификация полупроводников. Общая характеристика кристаллических тел. Требования к полупроводникам для использования на СВЧ.

4

4

     

5.

Технология полупроводниковых слоев для СВЧ устройств. Эпитаксиальные методы, диффузия, ионная имплантация.

8

4

4

   

6.

Классификация диэлектриков. Линейные диэлектрики, сегнетоэлектрики, ферриты.

4

4

     

7.

Получение диэлектрических пленочных структур для СВЧ устройств. Эпитаксия. Лазерное испарение. Ионно-плазменное осаждение.

8

4

4

   

8.

Керамические методы. Высокотемпературный отжиг.

6

2

2

   

9.

Особенности технологии СВЧ микроэлектронных устройств. Основные принципы модульного построения СВЧ устройств. Технология волноводных СВЧ устройств. Гибридно-монолитные интегральные модули.

10

6

4

   

10.

Пассивные СВЧ устройства. Технология формирования планарных волноведущих структур. Технология создания резисторов конденсаторов и индуктивностей. Технология управляемых устройств на основе СВЧ диодов.

10

6

4

   

11.

Активные СВЧ устройства. СВЧ усилители мощности на основе транзисторов. Генераторы СВЧ сигнала на основе транзисторов и диодов Ганна.

10

6

4

   

12.

Заключение

1

       
 

Итоговая аттестация

2

     

зачет

 

Итого

72

48

24

   

Контактная информация

пн. - пт. с 10:00 до 17:00
+7 812 346-28-18, +7 812 346-45-21
+7 812 346-45-21
ino@etu.ru

Запись на курс

Отправляя сообщение с помощью данной формы, вы соглашаетесь с обработкой своих персональных данных в соответствии с «Политикой обработки и защиты персональных данных СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Все поля помеченные * являются обязательными для заполнения.