Технология ионно-плазменного осаждения покрытий сложного стехиометрического состава

Технология ионно-плазменного осаждения покрытий сложного стехиометрического состава
Стоимость20000 руб
Продолжительность72 часа
Группаот 8 до 10 человек
Начало занятийПо мере формирования группы

Основной задачей курса является получение навыков компьютерного моделирования технологических процессов ионно-плазменного осаждения пленочных структур сложного стехиометрического состава.

Целевая аудитория курса – специалисты, получившие высшее или среднее профессиональное образование, технического или иного профиля, преподаватели вузов и аспиранты

 

Актуальность курса

Представленный в курсе материал содержит описание физических процессов, лежащих в основе технологических методов ионно-плазменного осаждения многокомпонентных диэлектрических пленочных структур сложного стехиометрического состава. Рассматриваются принципы построения моделей технологических процессов ионно-плазменного распыления материалов, разработанная интерактивная среда и интерфейс программного обеспечения для расчетов технологических параметров процессов ионно-плазменного осаждения. Предусмотрено выполнение лабораторных работ, ориентированных на получение навыков компьютерного моделирования технологических процессов ионно-плазменного осаждения пленочных структур сложного стехиометрического состава. Для закрепления изучаемого материала в процессе обучения проводится семинар. При подготовке курса использовано разработанное программное обеспечение и интерактивная среда для моделирования процессов ионно-плазменного осаждения, адаптированная для процесса обучения.

Учебный план

№ п/п Наименование разделов Всего часов В том числе
Лекции Практические и лабораторные занятия Самостоятельное изучение Проверка знаний

1.

Введение

2

2

     

2.

Классификация технологических процессов ионно-плазменного распыления материалов.

4

4

     

3.

Классификация покрытий сложного стехиометрического состава. Оксиды металлов, сложные оксиды, сегнетоэлектрики.

4

4

     

4.

Физические основы взаимодействия атомов распыляемой мишени с газовой средой и поверхностью твердого тела.

6

4

2

   

5.

Основы математического моделирования технологических процессов ионно-плазменного распыления материалов.

8

6

2

   

6.

Интерактивная среда для моделирования процессов ионно-плазменного осаждения.

4

2

2

   

7.

Интерфейс программного обеспечения для расчетов технологических параметров процессов ионно-плазменного осаждения.

8

4

4

   

8.

Особенности ионно-плазменного осаждения сложных оксидов. Процессы термализации и диффузионного движения распыленных атомов в газовой среде.

6

4

2

   

9.

Получение многокомпонентных диэлектрических пленочных структур сложного стехиометрического состава.

10

6

4

   

10.

Изменение стехиометрического состава по глубине осаждаемых покрытий непосредственно “in situ”.

8

4

4

   

11.

Получение слоистых пленочных структур в едином технологическом цикле ионно-плазменного осаждения.

8

4

4

   

12.

Семинар по итогам обучения. Заключение

4

 

4

   
 

Итоговая аттестация

2

 

2

 

зачет

 

Итого

72

42

30

   

Контактная информация

пн. - пт. с 10:00 до 17:00
+7 812 346-28-18, +7 812 346-45-21
+7 812 346-45-21
ino@etu.ru

Запись на курс

Отправляя сообщение с помощью данной формы, вы соглашаетесь с обработкой своих персональных данных в соответствии с «Политикой обработки и защиты персональных данных СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Все поля помеченные * являются обязательными для заполнения.