Научно-практический симпозиум «Энергия мысли» в рамках лауреатской недели Международной энергетической премии «Глобальная энергия»

16 июня 2015 года в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») состоится научно-практический симпозиум «Энергия мысли» - одно из ключевых мероприятий лауреатской недели Международной энергетической премии «Глобальная энергия». Место проведения - зал видеоконференций 5-го корпуса. Начало в 11:00.

Международная энергетическая премия «Глобальная энергия» была учреждена в 2002 г. по инициативе группы российских ученых и поддержана Президентом России. Премия ежегодно отмечает выдающиеся научные исследования и разработки в области энергетики, которые помогают всему человечеству решать самые острые и трудные энергетические проблемы. Премия вручается ведущим ученым мира. Ежегодно лауреаты получают награду из рук Президента России в Санкт-Петербурге, денежная часть премии составляет 33 миллиона рублей.

Поддерживают и финансируют «Глобальную энергию» три самые известные, крупные и влиятельные российские энергетические компании: ОАО «Газпром», ОАО «ФСК ЕЭС», ОАО «Сургутнефтегаз».

Премия «Глобальная энергия» - одна из самых известных и престижных в своей области. Недаром журналисты иногда неофициально называют ее «энергетическим Нобелем». 31 ученый из 10 стран мира уже вписали свое имя в золотую историю премии «Глобальная энергия».

Широкую и заслуженную известность в связи с премией получило некоммерческое партнерство «Глобальная энергия». Основная задача этой организации - поддержка исследований и инноваций в сфере глобальной энергетики и, конечно, управление международной энергетической премией «Глобальная энергия». Не менее важной задачей НП «Глобальная энергия» является поощрение молодых ученых и популяризация энергетической науки. Именно для этого созданы и успешно работают сразу несколько дополнительных программ. Одна из них - «Энергия мысли» - призвана наладить диалог между представителями разных научных поколений: лауреатами премии «Глобальная энергия», победителями Общероссийского конкурса молодежных исследовательских проектов в области энергетики «Энергия молодости», молодыми учеными, широкой общественностью. В рамках программы в Санкт-Петербурге ежегодно проходит научно-практический симпозиум «Энергия мысли», где лауреаты выступают с лекциями, а молодые ученые презентуют свои проекты. Симпозиум направлен на развитие сотрудничества внутри научного сообщества, на построение конструктивного взаимодействия между учеными для поиска ответов на самые актуальные вопросы в энергетической отрасли.

Уже третий год подряд право организации симпозиума предоставляется Санкт-Петербургскому государственному электротехническому университету «ЛЭТИ» (СПбГЭТУ «ЛЭТИ»). В 2013 г. здесь принимали создателя направления динамической физики неидеальной плазмы Президента РАН академика В.Е. Фортова (Россия) и разработчика прототипа новой аккумуляторной батареи д-ра Акира Йосино (Япония). В 2014 г. в рамках симпозиума в СПбГЭТУ «ЛЭТИ» выступали ученые, внесшие выдающийся вклад в повышение безопасности атомной энергетики и вывода из эксплуатации ядерных объектов академик РАН А.А. Саркисов (Россия) и член Шведской королевской академии технических наук Ларс Г. Ларссон (Швеция). 

В программе мероприятия выступления лауреатов премии «Глобальная энергия» 2015 г.:

- «Изобретение, разработка и коммерциализация биполярного транзистора с изолированным затвором, который является одной из наиболее важных инноваций в области управления и распределения электроэнергии», директор научно-исследовательского центра силовых полупроводников, Университет Северной Каролины, Джаянт Балига (США).

- «Изобретение, коммерциализация и развитие энергоэффективного белого светодиодного освещения», профессор Калифорнийского Университета (г. Санта-Барбара), лауреат Нобелевской премии по физике 2014 года Сюдзи Накамура (США).

С короткими сообщениями выступят победители Общероссийского конкурса молодежных исследовательских проектов «Энергия молодости».

Лауреаты премии «Глобальная энергия», представители Некоммерческого партнерства «Глобальная энергия», приглашенные гости познакомятся с выставкой научно-технических разработок СПбГЭТУ «ЛЭТИ».

СЮДЗИ НАКАМУРА (США)

Краткая биография

Родился в 1954 году в Японии. В 1977 году окончил Университет Токусима по специальности инженер-электроник. В 1979 г. получил звание магистра. В 1994 году получил степень доктора технических наук Университета Токусимы. В 1979 – 1999 гг. работал в корпорации «Nichia Chemical Industries». С 1999 г. по настоящее время - профессор Калифорнийского Университета (г. Санта-Барбара). С 2003 года член Национальной Академии Инженерии США. Лауреат Нобелевской премии по физике (2014) за изобретение эффективных синих светодиодов, приведших к появлению ярких и энергосберегающих источников белого света.

Научные достижения

В 1990 году, работая в Nichia, Судзи Накамура изобрел синий светодиод. Он исследовал пленки нитрида галлия, которые осаждал из металлорганических соединений. Ему удалось вырастить многослойные гетероструктры на основе нитрида галлия с добавками индия, которые давали яркий синий. До 1990-x производители светодиодов могли выпускать только красные, желтые и зеленые диоды. Однако только комбинация синего, зеленого и красного способна давать чистый белый, а, следовательно, и все оттенки световой гаммы. К 1993 году компании Nichia первой в мире удалось начать индустриальный выпуск синих светодиодов.

Изобретение Накамуры позволило в дальнейшем создать светодиодные ламы и стало революцией в наружных светодиодных видеоэкранах. Разработками ученого пользуются все полупроводниковые компании, все компании, производящие мобильные телефоны и цифровые камеры, телевизионную и DVD-аппаратуру, приборы для оснащения самолетов и автомобилей, оборудование для освещения улиц, светофоры.

Синий светодиод ценен в первую очередь тем, что открывает новые способы получения чистого белого света. А эффективность светодиода на основе белого света в 20 раз больше, чем традиционные лампы накаливания. Министерство энергетики США считает, что только в США, переход к LED-освещению сэкономит 300 ТВт-час, и сократит ежегодные выбросы углекислого газа на 210 миллионов метрических тонн.

Обладатель ряда наград: 1998 – C&C Prize, 2000 – Премия Карла Цейса, 2002 – медаль Бенджамина Франклина от Института Франклина, 2006 Премия «Технология тысячалетия», 2008 г. премия принца Астурийского, 2009 - премия Харви, 2011 - звание «Изобретатель года» от «Юридической ассоциации интеллектуальной собственности Кремниевой Долины», 2012 приз Эмми от Националной академии телевизионных искусств и наук США (Technology & Engineering Emmy Award), 2014  Нобелевская премия по физике, 2015 премия Чарльза Старка Дрейпера.

Имеет около 550 публикаций.

Интересные факты

В 2001 году, после того как «Nichia Chemical Industries» не выплатила Накамуре бонус за открытие, ученый подал в суд на корпорацию. Первоначальный бонус должен был составлять 20 тысяч японских иен (около 180 долларов). В 2004-м году Сюдзи Накамуре удалось отсудить у своих бывших работодателей 20 млрд иен (около $189 млн) за то, что в течение многих лет она производила синие светодиоды, не заплатив ничего их изобретателю. Но «Nichia Chemical Industries» подала апелляцию и в 2005 году стороны договорились о сумме в 840 миллионов иен (около 9 млн долларов США).

Накамура является консультантом компании Cree Inc., крупнейшего в США производителя полупроводниковых устройств, одного из лидеров в производстве кристаллов карбида кремния для компонентов силовой электроники и основного конкурента для Nichia в производстве кристаллов для синих и зеленых светодиодов.

Самая волнующая ученого тайна - Как зародилась жизнь во Вселенной и действительно ли она расширяется. Среди самых важных технологических изобретений человечества за последние 50 лет он считает интегральные схемы, Интернет и фотоэлементы.

Считает что время белых светодиодов, используемых для домашнего освещения, придет лет через 10. Это сделает платежи за электроэнергию смехотворно маленькими. Пока технология производства дорогая.

ДЖАЯНТ БАЛИГА (США)

Краткая биография

Родился в 1948 году в Индии. 1969 г.  - степень бакалавра электротехники, Индийский Технологический Институт (г. Мадрас).  В 1971 г.  - степень магистра; в 1974 г. - доктора наук, Политехнический Институт Ренсселера (г. Нью-Йорк). С 1974 по 1988 год занимался исследованиями в научно-исследовательском центре General Electric (г. Скентектади, шт. Нью-Йорк). Под его руководством группа из 40 ученых исследовала силовые полупроводниковые приборы и высоковольтные интегральные схемы. В 1988 г. стал профессором Университета Северной Каролины,  где в 1997 году получил высшее  звание  - Заслуженный профессор Университета электротехники. 

В 1991 г. основал Научно-Исследовательский Центр силовых полупроводников. Является его директором. В 1993 г. Избран иностранным членом Национальной академии инженерных наук (постоянным ее членом стал в 2000 г.). С 2005 г. член Европейской академии наук. В 1999-2000 годах основал 3 компании с целью лицензирования и коммерциализации своих разработок: Giant Semiconductor Corporation, Micro-Ohm Corporation, Silicone Wireless Corporation (переименованную затем в Silicon Semiconductor Corporation).

Научные достижения

Автор биполярного транзистора с изолированным затвором. Устройство объединяет 2 направления: электронику и электротехнику. БТИЗ позволил за последние 20 лет сэкономить свыше 50 000 тВт часов электроэнергии, свыше 1 трлн. галлонов бензина и сократил выбросы СО2 на 75 трлн. фунтов. Экономия потребителей - свыше 15 трл. долларов! Сегодня БТИЗ – основа интеллектуальных энергосистем (смарт-грид/умная сетка управления и распределения энергии).

Пионер концепции функциональной интеграции биполярных и полевых-МОП транзисторов.

Занимается моделированием концепций новых силовых устройств, технологией их изготовления, исследованием новых материалов. В 1979 г. теоретически доказал, что показатели полупроводниковой структуры МОП-транзисторов можно улучшить в несколько раз, если заменить кремний на арсенид галлия и карбид кремния. Это стало основой для нового поколения силовых устройств XXI века.

Получил множество наград за вклад в развитие полупроводниковых приборов: 1983/84 гг. - IR 100; 1984 г. - Dushman and Coolidge Awards (GE); 1984 г.- награда «Прикладная наука»; 1991 г. - награда Ньюэлла Института инженеров электротехники и радиоэлектроники (IEEE); 1993 г.  - премия Моррис Н. Либерманн Мемориал (IEEE); 1998 г. – премия Джей Джей Эберс (J.J. Ebers Award); 1999 г. – Медаль Ламме (IEEE); 2014 – Медаль почета (IEEE).

Имеет свыше 500 публикаций в международных журналах и дайджестах конференций. Является автором и редактором 18 книг. Обладатель свыше 100 патентов в США.

Интересные факты

Изобретение ученого широко применяется во всем мире: в системах кондиционирования, бытовой технике (посудомоечные машины, миксеры, холодильники), для автоматизации производства (робототехника), в медицинских системах (компьютерная томография, источники бесперебойного питания), на городском электрическом транспорте и гибридных электрокарах, в системах управления двигателями, в автомобильной электронике, сотовых телефонах, микропроцессорах ноутбуков, лэптопов, серверов.

Согласно докладу Департамента энергетики США, двигатели с переменной скоростью вращения привода (появившиеся благодаря БТИЗ) экономят 2 квадриллиона тепловой энергии в год (эквивалентно 70 ГВт мощности). Широкое распространение компактных люминесцентных ламп в лампах накаливания экономит 30 ГВт энергии.

Самая последняя технология, которая стала возможна благодаря БТИЗ – производство очень компактного, легкого и недорогого дефибриллятора для реанимации остановки сердца. По оценке Американской Медицинской Ассоциации (АМА), с его помощью ежегодно в США врачи спасают свыше 100 000 человек.

В 1984 г. Джаянт Балига был включен в список «100 Наиболее ярких молодых ученых Америки» по версии Журнала Science Digest.

В 1992 г. стал первым в истории получателем награды «Гордость Индии» (Pride of India Award).

В 1997 г. Журнал Scientific American назвал ученого в числе «Восьми героев полупроводниковой революции» во время празднования 50-й годовщины изобретения транзистора.

В 2010 году президент США Барак Обама наградил его Национальной медалью технологий и инноваций. Это высшая награда для инженера в США.