Таиров Юрий Михайлович

Специалист в области физики и технологии широкозонных полупроводников и ЭП на их основе. Окончил (1959) ЭФФ ЛЭТИ по специальности «Диэлектрики и полупроводники». К.т.н. (1963), доцент (1964), д.т.н. (1975), профессор (1977).

[р. 01.11.1931, Псков]

К. т. н. (1963), доцент (1964), д. т. н. (1975), профессор (1977). Поступил в ЛЭТИ в 1950 г.; в 1951 г. сослан в Казахстан как сын "врага на­рода" (отец, М. А. Таиров, арестован в 1949 г. по т. н. "ленинградскому делу"; реабили­ти­ро­­ван в 1954 г.). Реабилитирован в 1953 г. и восстанов­лен в ЛЭТИ. С 1959 г. на кафедре ДП (ст. инженер проб­лемной лаборатории электрофизических про­цес­сов в ди­элек­т­риках и по­лупроводниках). В 1959/60 учебном году стажиро­вался в Кали­фор­нийском университете (Беркли, США). Прорек­тор по научной работе (1970–1988). С 1976 г. профессор кафедры ДП. Заведующий кафедрой (с 1984 г.) ДП (с 1995 г. каф. МЭ).

Ю.М. Таиров

Читает кур­сы: "Технология полупро­вод­­­никовых и диэлек­т­рических материалов", "Проб­лемы совре­мен­­ной электроники", "Тех­но­логия по­лу­про­водни­ковых приборов и ин­тег­ральных мик­росхем" и др. Под его руководством раз­работаны учебные пла­ны и нача­та под­го­товка специа­лис­тов по ряду новых специальностей.

Теоретически обобщил и решил проб­лему физ.-хим. основ выращивания поли­тип­ной струк­туры ряда широ­ко­зонных полу­проводников и управление ею. Разработал метод вы­ра­щи­вания объемных крис­таллов полупро­вод­никового карбида кремния различных поли­типных модификаций ("метод ЛЭТИ"), ши­роко используемый для промышленного произ­водства ведущими фирмами мира. Автор более 300 научных трудов, в т. ч. 5 монографий, 2 учеб., более 70 а. с. Один из создателей Центра микро­тех­ноло­гий и диагностики ЛЭТИ. Член Международного ко­митета по карбиду кремния, председатель и член про­­грам­мных комитетов отечественных и зарубежных конференций по ши­ро­­ко­зон­ным полупроводникам, член Научного совета по физике полупроводников РАН, член редколлегии журнала "ФТП", "Элек­т­роника", "Материалы элект­ронной техники" и др.

Заслуженный деятель науки и тех­ники РФ (1992). Со­росовский профессор (1997–2001). По­четный доктор НГУ (2001). Ордена Трудового Крас­но­го Зна­мени, Почета и медали.

Труды: Технология полупроводнико­вых и диэлектрических материалов: Учеб. М.: Высш. шк., 1983, 1990, 2002; Технология по­лупроводни­ковых приборов: Учеб. М.: Высш. шк., 1984; Элек­т­ролюминесценция материа­лов IV группы. Topics in Applied Phys. 1977; Вы­ращивание по­литипных кристаллов. Springer Verlag, Berlin, 1984; Выращивание кристаллов SiC. Electric Refractory Materials. Marsel Dek­ker&C°, 2000.