Пресс-конференция Джеймса Батлера

Пресс-конференция Джеймса Батлера

15 октября в 12:00 в конференц-зале 5-го корпуса состоится пресс-конференция, посвященная началу работы в нашем вузе научного коллектива под руководством профессора Дж. Э. Батлера.

14.10.2013

15 октября в 12:00 в конференц-зале 5-го корпуса Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» состоится пресс-конференция, посвященная началу работы в нашем вузе научного коллектива под руководством профессора Дж. Э. Батлера.

Участники пресс-конференции – профессор Дж. Э. Батлер и ректор СПб ГЭТУ «ЛЭТИ» В.М.Кутузов – расскажут о том, как будут проходить научные исследования интернационального коллектива ученых, какие ожидаются результаты, как это скажется на повышении конкурентоспособности вуза и его продвижении в международных рейтингах ведущих университетов, а также ответят на вопросы журналистов. После пресс-конференции запланировано посещение представителями СМИ лабораторий университетских научно-образовательных центров «Микротехнологии и диагностики» и «Нанотехнологии», а также выставки научных достижений и изобретений сотрудников и студентов «ЛЭТИ».

Коллектив ученых «ЛЭТИ» и Института прикладной физики РАН разработает высокочастотные электронные приборы большой мощности, основанные на полупроводниковых алмазных материалах. Эти разработки определят дальнейшее развитие силовых электронных устройств, работающих в экстремальных условиях. Научные исследования группы российских ученых под руководством Дж. Э. Батлера рассчитаны на 3 года. При успешном завершении первой части проекта возможно продление исследований еще на 2 года. В научный коллектив войдут два кандидата, а также трое аспирантов и трое студентов, обучающиеся в «ЛЭТИ».

Доктор Дж. Э. Батлер – один из ведущих в мире специалистов в области физико-химического анализа поверхности алмаза и в разработке технологии химического осаждения алмазных пленок, покрытий и его кристаллов. На основе предложенной им методики была впервые проведена диагностика процессов формирования алмаза методом химического осаждения (CVD), что позволило обеспечить быстрое развитие технологии выращивания искусственных алмазов.

Дополнительная информация и аккредитация журналистов по телефону 346-08-71 или по электронной почте aesazhin@etu.ru.