Прорывные технологии ученых ЛЭТИ в «нанокосмосе»

Прорывные технологии ученых ЛЭТИ в «нанокосмосе»

Учеными СПбГЭТУ «ЛЭТИ» разработан уникальный способ герметизации нанопористых материалов методом молекулярного наслаивания при создании наноразмерных интегральных схем нового поколения.

10.10.2017

В рамках проведения исследований по формированию нанослоевых органических композиций на основе жесткоцепных полиимидов методом молекулярного настаивания из жидкой фазы и их модификации лежит комплекс работ, выполненных сотрудниками СПбГЭТУ «ЛЭТИ» совместно с ведущей европейской организацией – Межвузовским центром микроэлектроники IMEC (Лёвен, Бельгия). При реализации 7-ой Рамочной европейской программы выполнен пилотный проект «Молекулярное самоорганизующееся запечатывание ультратонких low-k диэлектриков для формирования наноэлектронных приборов» («Molecular self-assembling for sealing of ultra low-k dielectrics developed for advanced nanoelectronic devices), направленный на разработку метода подавления нанопористости low-k диэлектрика, используемого в качестве межслоевой изоляции в новом поколении интегральных микросхем с наноразмерными топологическими нормами. Метод основан на планаризации поверхности и закрытии нанопор без их заполнения диэлектриком с использованием жесткоцепных полиимидов, наносимых по технологии Ленгмюра-Блоджетт. Научным руководителем работ от СПбГЭТУ «ЛЭТИ» являлась ведущий научный сотрудник Центра микротехнологии и диагностики, кандидат химических наук Светлана Игоревна Голоудина.

По результатам работы получен совместный (СПбГЭТУ «ЛЭТИ» – IMEC) патент США «Метод запечатывания / закрытия пор в пористых материалах с использованием полиимидных пленок Ленгмюра-Блоджетт» («Method for pore sealing of porous materials using polyimide Langmuir-Blodgett film»).

«Метод Ленгмюра – Блоджетт успешно развивается в ЛЭТИ на протяжении более 20 лет. В университете была создана специальная установка, которая позволяет проводить эксперименты в области молекулярного наслаивания. Также используется стандартное оборудование финской фирмы «Beneq», которая в 2013 году открыла на базе СПбГЭТУ совместную научную лабораторию».

Заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», доктор технических наук, профессор Виктор Лучинин

Преимущества новой технологии для применения в наноэлектронике очевидны: получаемый планаризирующий изолирующий слой удовлетворяет требованиям к предельно допустимой наноразмерной толщине диэлектрика, не оказывает повреждающего воздействия на всю структуру и обеспечивает требуемые частотные свойства.

Благодаря использованию предложенного способа стало возможным уменьшение топологических норм, что позволяет наращивать быстродействие, энергетическую эффективность и плотность упаковки интегральных схем нового поколения.